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产品名称:

单腔立式甩干机-CSE

上市日期: 2016-12-05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE

南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺

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设备名称

南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机

优    点

 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺

> 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔)

> 适用于晶圆尺寸至200mm

> 最佳的占地,设备带有滚轮可移动

> 优越的可靠性

> 独特的模块化结构

> 极其便于维修

> 易于使用和操作

一般特征

 适用于晶圆直径至200mm

> 25片晶圆单盒工艺

> 标准的高边和低边花篮

> 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺

> 用冷或热的N2辅助晶圆干燥

> 离心头容易更换

 

图形化的界面:

> 基于PLC的彩色5。7“的触摸屏

> 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步

> 多等级用户密

 

 去静电装置安装于工艺腔室区

> 去离子水回收

> 电阻率监测装置

> 机械手自动加载

> 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔

> SECS/GEM

> 去离子水加热系统

> 底座置放不锈钢滚轮

> 溶剂灭火装置

> 适用特殊设计的花篮

设备制造商

南通华林科纳半导体设备有限公司 www.wvsleeps.com 400-8768-096 ;18913575037

更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.wvsleeps.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越。。。
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